MOSFET de puissance SIHx5N80AE

Les MOSFET de puissance SIHx5N80AE Vishay/Siliconix disposent d'un faible facteur de mérite, d'une faible capacité efficace et de pertes de commutation et de conduction réduites. Les MOSFET de puissance SIHx5N80AE Vishay/Siliconix fournissent une tension drain-source de 850 V et sont idéaux pour les alimentations de serveurs et de télécommunications. De plus, les MOSFET SIHx5N80AE utilisent une charge de grille ultra-faible et une protection ESD à diode Zener intégrée.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET DPAK 800V 4.4A E SERIES
Fiche technique
2.914En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 3A E SERIES
Fiche technique
1.814En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 100 V
Fiche technique
2.899En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape