STGWA100H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA100H65DFB2
STGWA100H65DFB2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
145 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 6,100 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IGBT HB2 STGWA100H65DFB2

L'IGBT STGWA100H65DFB2 HB2 de STMicroelectronics est une évolution de la structure de grille en tranchée à arrêt de champ propriétaire avancée. La série HB2 optimise la conduction avec VCE(sat) de première qualité à des valeurs de courant faible et une énergie de commutation réduite. L'IGBT HB2 STGWA100H65DFB2 dispose d'une faible VCE(sat) de 1,55 V (std) à un IC de 100 A.

En stock: 632

Stock:
632 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,27 € 6,27 €
3,60 € 36,00 €
3,51 € 351,00 €
3,12 € 1.872,00 €
2,51 € 3.012,00 €