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FGH4L50T65MQDC50

Name: onsemi FGH4L50T65MQDC50
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L50T65MQDC50
Price: 9.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FGH4L50T65MQDC50

N° de fab. :

FGH4L50T65MQDC50

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)

Cycle de vie:

Commande spéciale d''usine:

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Fiche technique:

FGH4L50T65MQDC50 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,33 €	9,33 €
	5,62 €	56,20 €
	5,05 €	606,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-4LD
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.45 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	100 A
Pd - Dissipation d’énergie :	246 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGH4L50T65MQDC50
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	100 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	EliteSiC

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Fiche technique

FGH4L50T65MQDC50 Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2025-8-7 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

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L'IGBT à arrêt de champ et vitesse intermédiaire FGH4L50T65MQDC50 650 V d'onsemi utilise la technologie IGBT à arrêt de champ 4th-generation et la technologie de diode SCHOTTKY SiC 1,5. Le FGH4L50T65MQDC50 d'onsemi est logé dans un boîtier compact TO-247 4-lead. Ce composant offre un rendement grâce à des pertes de conduction et de commutation minimales. Le FGH4L50T65MQDC50 est conçu pour diverses applications.