MOSFET de puissance RJ1x10BBG

Les MOSFET de puissance ROHM Semiconductor  RJ1x10BBG sont des MOSFET de puissance à canal N présentant une faible résistance à l'état passant et un boîtier à haute puissance. Les MOSFET de puissance RJ1G10BBG et RJ1L10BBG ont, respectivement, une tension drain-source de 40 V et 60 V, un courant de drain continu de ±280 A et ±240 A, et une dissipation d'énergie de 192 W. Les MOSFET de puissance RJ1x10BBG sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET de puissance ont un placage sans plomb, sont sans halogène et testés 100 % Rg et UIS. Les MOSFET de puissance RJ1x10BBG fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 150°C. Les applications typiques comprennent la commutation, les entraînements à moteur et les convertisseurs CC/CC.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET
Fiche technique
560En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.43 mOhms 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET
Fiche technique
640En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 A 1.85 mOhms 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape