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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
Fiche technique
1.262En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET
Fiche technique
892En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 5A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
2.718En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRF8
Fiche technique
Commentaire Produit
1.548En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.397En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube