MRF300 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF300 RF Power LDMOS Transistors feature unmatched input and output, allowing wide frequency range operation from 1.8MHz to 250MHz. NXP MRF300 LDMOS transistors offer two opposite pin-connection versions (A and B) to be used in a push-pull and two-up configuration for wideband performance. These transistors are housed in an industry-standard TO-247 package, offering flexibility and ease of mounting. The rugged transistors are suitable for high VSWR industrial, scientific, and medical (ISM) applications and broadcast, mobile radio, HF/VHF communications, and switch-mode power supplies.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Id - Courant continu de fuite
Vds - Tension de rupture drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
NXP Semiconductors Transistors MOSFET RF RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Fiche technique
370En stock
Min. : 1
Mult. : 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistors MOSFET RF RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 240
Mult. : 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube