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PBSS4310PAS-QX

Name: Nexperia PBSS4310PAS-QX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PBSS4310PAS-QX
Price: 0.52 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-PBSS4310PAS-QX

N° de fab. :

PBSS4310PAS-QX

Fab. :

Nexperia

Description :

Transistors bipolaires - BJT SOT1061 10V 3A NPN BJT

Fiche technique:

PBSS4310PAS-QX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,525 €	0,53 €
	0,326 €	3,26 €
	0,236 €	11,80 €
	0,206 €	20,60 €
	0,149 €	149,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,116 €	348,00 €
	0,105 €	630,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020D-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	3 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	10 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	10 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	8 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	55 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	1.54 W
Produit gain-bande passante fT :	80 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Courant de collecteur continu :	3 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	325
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934663832115

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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