NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches are designed to block voltage in both directions. A monolithic, integrated substrate-clamping circuit between each source and the common substrate automatically clamps the source-to-substrate voltage. Navitas’ unique substrate clamp technology delivers optimized switching performance during 4-quadrant operation compared to a floating-substrate switch, which can experience a "back-gating effect".

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Id - Courant continu de fuite
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT
Fiche technique
138En stock
45031/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 450

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C