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IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 3.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

942-IRF100B201

N° de fab. :

IRF100B201

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Fiche technique:

IRF100B201 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	192 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	441 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	StrongIRFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	100 ns
Transconductance directe - min.:	278 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	97 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	2 g

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SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Malaisie

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.

PRODUITS PRÉSENTÉS

INFINEON

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

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MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

Il s’agit de MOSFET de puissance à canal N, de niveau normal 80 V ou 100 V avec une résistance de conduction très faible [RDS_(ON)].

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

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Stock:: 18.592 Expédition possible immédiatement

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	2,05 €	20,50 €
	1,55 €	155,00 €
	1,39 €	695,00 €
	1,24 €	1.240,00 €

IRF100B201

Fab. : Infineon Technologies

Description : MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

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IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

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