Diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101

Les diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor fournissent des tensions de claquage à partir de 600 V, ce qui dépasse de loin la limite supérieure pour les SBD au silicium. Les diodes AEC-Q101 utilisent la SiC, ce qui les rend idéales pour les circuits PFC et les convertisseurs. De plus, la commutation à haute vitesse est activée avec un temps de récupération inverse ultra-réduit. Cela minimise la charge de récupération inverse et la perte de commutation, contribuant ainsi à la miniaturisation du produit final. Les diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101 offrent une plage de tension inverse de 650 à 1200 V, une plage de courant direct continu de 1,2 A à 260 µA et une plage de dissipation de puissance totale comprise entre 48 et 280 W.µ Ces composants sont disponibles en boîtiers TO-247 et TO-263, avec une température maximale de +175 °C.