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TDS2621LP.C

Name: Semtech TDS2621LP.C
Brand: Semtech
SKU: 947-TDS2621LP.C
Price: 1.05 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

947-TDS2621LP.C

N° de fab. :

TDS2621LP.C

Fab. :

Semtech

Description :

Diodes de protection ESD / diodes TVS TDS, 1-Line 26V 24A TVS EOS SLP1616N2P

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

TDS2621LP.C Fiche technique (PDF)

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	0,687 €	6,87 €
	0,57 €	57,00 €
	0,547 €	273,50 €
	0,528 €	528,00 €
	0,516 €	1.548,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Semtech
Catégorie du produit:	Diodes de protection ESD / diodes TVS
RoHS:
Tension de service:	26.4 V
Style du raccordement:	SMD/SMT
Blocage de la tension:	35 V
Tension de rupture:	31 V
Package/Boîte:	DFN-2
Ipp - courant d'impulsion de crête:	24 A
Pppm - Dissipation d’énergie d’impulsion de crête:	840 W
Cd - Capacité de la diode:	86 pF
Vesd - Tension ESD par contact:	20 kV
Vesd - Tension ESD par décharge dans l'air:	25 kV
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Marque:	Semtech
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Nom commercial:	SurgeSwitch
Vf - Tension directe:	600 mV

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Fiche technique

TDS2621LP.C Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Suppresseurs de dérivation transitoire (TDS) TDS2621LP

Les suppresseurs de dérivation transitoire (TDS) TDS2621LP de Semtech sont conçus pour fournir une protection contre la surcharge électrique (EOS) à haute énergie avec des caractéristiques de serrage et de température supérieures par rapport aux dispositifs TVS standard. Les dispositifs TDS2621LP de Semtech utilisent un FET à courant de crête nominal comme élément de protection principal. Lors d'un événement EOS, la tension transitoire augmente au-delà de la tension de rupture nominale du dispositif. Le FET s'allume alors et conduit un courant transitoire vers la terre. La tension de serrage du TDS est presque constante sur la plage du courant d'impulsion de crête nominal en raison de la très faible résistance à l'état passant [R_DS(on)] du FET. Une tension de serrage inférieure au courant d'impulsion de crête maximal rend les composants TDS plus adaptés à la protection des circuits intégrés (CI) sensibles, par rapport aux diodes TVS standard.