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TDS2621LP.C

Name: Semtech TDS2621LP.C
Brand: Semtech
SKU: 947-TDS2621LP.C
Price: 1.08 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

947-TDS2621LP.C

N° de fab. :

TDS2621LP.C

Fab. :

Semtech

Description :

Diodes de protection ESD / diodes TVS TDS, 1-Line 26V 24A TVS EOS SLP1616N2P

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

TDS2621LP.C Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,08 €	1,08 €
	0,708 €	7,08 €
	0,587 €	58,70 €
	0,563 €	281,50 €
	0,544 €	544,00 €
	0,516 €	1.548,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Semtech
Catégorie du produit:	Diodes de protection ESD / diodes TVS
RoHS:
Tension de service:	26.4 V
Style du raccordement:	SMD/SMT
Blocage de la tension:	35 V
Tension de rupture:	31 V
Package/Boîte:	DFN-2
Ipp - courant d'impulsion de crête:	24 A
Pppm - Dissipation d’énergie d’impulsion de crête:	840 W
Cd - Capacité de la diode:	86 pF
Vesd - Tension ESD par contact:	20 kV
Vesd - Tension ESD par décharge dans l'air:	25 kV
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Marque:	Semtech
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Nom commercial:	SurgeSwitch
Vf - Tension directe:	600 mV

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Fiche technique

TDS2621LP.C Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Suppresseurs de dérivation transitoire (TDS) TDS2621LP

Les suppresseurs de dérivation transitoire (TDS) TDS2621LP de Semtech sont conçus pour fournir une protection contre la surcharge électrique (EOS) à haute énergie avec des caractéristiques de serrage et de température supérieures par rapport aux dispositifs TVS standard. Les dispositifs TDS2621LP de Semtech utilisent un FET à courant de crête nominal comme élément de protection principal. Lors d'un événement EOS, la tension transitoire augmente au-delà de la tension de rupture nominale du dispositif. Le FET s’active et conduit un courant transitoire à la terre. La tension de serrage TDS est presque constante sur la plage de courant d’impulsion de crête évaluée en raison du niveau extrêmement bas de la résistance [R_DS(on)] du FET. La tension de serrage plus faible au niveau maximum du courant d’impulsion de crête rend les composants TDS plus adaptés à la protection sensible des circuits intégrés (CI), par rapport aux diodes TVS standard.