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MMBT3904T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3904T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3904TRSG
Price: 0.18 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

821-MMBT3904TRSG

N° de fab. :

MMBT3904T RSG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

Transistors bipolaires - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

Fiche technique:

MMBT3904T RSG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,181 €	0,18 €
	0,108 €	1,08 €
	0,068 €	6,80 €
	0,05 €	25,00 €
	0,044 €	44,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,035 €	105,00 €
	0,032 €	192,00 €
	0,026 €	234,00 €
	0,025 €	600,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-523-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	200 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	40 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	60 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	300 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	150 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Taiwan Semiconductor
Courant de collecteur continu :	200 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	30
Gain de courant CC hFE max.:	300
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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ECCN:: EAR99

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (V_CBO), 40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and 6V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.