Diodes à barrière de Schottky RBQx

Les diodes à barrière de SCHOTTKY RBQx de ROHM Semiconductor sont des diodes à faible IR et haute fiabilité homologuées AEC-Q101 pour un redressement général. Ces diodes disposent d’une alimentation de type moulé, d’un type double à cathode commune et d’une structure planaire épitaxiale au silicium. Les diodes à barrière SCHOTTKY RBQx de ROHM Semiconductor sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Ces diodes fonctionnent à une température de jonction de +150 °C et un courant de surtension direct de crête de 100 A. Les diodes à barrière de SCHOTTKY RBQx sont idéales pour la commutation d'alimentation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Style de montage
Package/Boîte
Configuration
Technologie
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 100V, 10A, TO-263S (D2PAK)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 770 mV 100 A 80 uA + 150 C AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 45V, 10A, ITO-220AB
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 45 V 550 mV 50 A 10 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 100V, 20A, TO-263S (D2PAK)
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 770 mV 100 A 140 uA + 150 C AEC-Q101 Reel