IXSH80N120L2KHV

IXYS
747-IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV

Fab. :

Description :
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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6,47 € 3.299,70 €
6,05 € 6.171,00 €

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IXYS
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
79 A
39 mOhms
- 5 V, + 20 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 14 ns
Conditionnement: Tube
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 24.4 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Type: SiC MOSFET
Délai de désactivation type: 28.8 ns
Délai d'activation standard: 12.8 ns
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH80N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH80N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.