Modules IGBT en silicium DDB6U134N16RR

Les modules IGBT en silicium DDB6U134N16RR d'Infineon Technologies offrent une tension directe de 1,35 V à 100 A et une dissipation d'énergie de 500 W. Les dispositifs fonctionnent dans une plage de température maximum de -40 °C à +150 °C. Les modules IGBT en silicium DDB6U134N16RR d'Infineon sont disponibles en boîtier de 45 mm x 107,5 mm x 20,5 mm (L x L x H).

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage If - Courant direct Configuration Vf - Tension directe Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Modules de diode LOW POWER ECONO 13En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules de diode LOW POWER ECONO 20En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Tray
Infineon Technologies Modules de diode LOW POWER ECONO Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 15
Mult. : 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Tray