Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

Les transistors GaN avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P_3dB) QPD1011A de Qorvo sont des transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC) qui fonctionnent de 30 MHz à 1,2 GHz. Un réseau d'adaptation d'entrée intégré permet un gain large bande et des performances de puissance, tandis que la sortie peut être adaptée sur la carte pour optimiser la puissance et le rendement pour n'importe quelle région de la bande. Les transistors QPD1011A de Qorvo sont logés dans un boîtier SMT sans plomb de 6 mm x 5 mm x 0,85 mm qui permet d'économiser de l'espace dans les radios portables déjà soumises à des contraintes d'espace.