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GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 27.78 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

148-GCMS040B120S1-E1

N° de fab. :

GCMS040B120S1-E1

Fab. :

SemiQ

Description :

Modules MOSFET 1200V SiC COPACK Power Module

Fiche technique:

GCMS040B120S1-E1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	57 A
Rds On - Résistance drain-source:	52 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	242 W
Conditionnement:	Tube
Marque:	SemiQ
Temps de descente:	16 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	COPACK Power Module
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Vf - Tension directe:	1.52 V

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Fiche technique

GCMS040B120S1-E1 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.