MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile d'Infineon Technologies sont des dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement dans des architectures de véhicules modernes. Construits selon la technologie OptiMOS™ 7, ces MOSFET 100 V offrent une très faible résistance à l'état passant, un comportement de commutation rapide et une capacité d'avalanche élevée, ce qui permet des pertes réduites de conduction et de commutation tout en maintenant une robustesse et des performances thermiques élevées. Ces fonctionnalités prennent en charge des conceptions à haute densité de puissance dans des boîtiers compacts et bien adaptés à des environnements automobile exigeants, qui nécessitent fiabilité, rendement et fonctionnement cohérent.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Fiche technique
3.984En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Fiche technique
2.00002/07/2026 attendu
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel