MOSFET de puissance NexFET™ CSD17581Q3A

Le MOSFET de puissance NexFET™ CSD17581Q3A de Texas Instruments est un MOSFET de puissance à canal N de 30 V et 3,2 mΩ . Ce dispositif est conçu pour réduire au minimum les pertes dans les applications de conversion de puissance. Ce MOSFET offre des valeurs basses de Qg, Qgd et RDS(on) et une faible résistance thermique. Ces caractéristiques rendent ce composant idéal pour un convertisseur Buck synchrone au point de charge dans des applications de mise en réseau, de télécommunications et de systèmes informatiques. Ce dispositif fonctionne également bien dans les applications de commande moteur et est optimisé pour les applications FET de commande.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
Fiche technique
306En stock
7.50012/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFET 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A
Fiche technique
358En stock
25020/02/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel