Modules demi-pont EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG

Les modules demi-pont EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG d'Onsemi sont des modules à 2 boîtiers avec deux commutateurs MOSFET SIC de 1 200 V 3 mΩ ou 4 mΩ et une thermistance avec un substrat DBC (cuivre à liaison directe) alumine dopée à la zircone (HPS) ou DBC nitrure de silicium (Si3N4).  Les commutateurs MOSFET SIC en boîtier F2 utilisent la technologie M3S et disposent d’une plage de commande de grille 15 V à 18 V. Les applications comprennent les conversions CC-CA, CC-CC et CA-CC.

Résultats: 4
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
onsemi Modules MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Fiche technique
30En stock
40Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi Modules MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Fiche technique
35En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi Modules MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Fiche technique
1En stock
4021/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi Modules MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Fiche technique
11.180Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray