MOSFET SICW0x SiC à canal N 1 200 V

Les MOSFET à canal N SiC SICW0x de 1 200 V de Micro Commercial Components (MCC) amplifient les performances dans des boîtiers polyvalents TO-247-4, TO-247-4L et TO-247AB. Ces MOSFET disposent d’une vitesse de commutation élevée avec une faible charge de grille, une flexibilité de conception et une grande fiabilité. Les MOSFET SiC SICW0x 1200 V comprennent une large plage de résistance en marche standard de 21 mΩà 120 m Ω et des performances fiables. Ces MOSFET SiC offrent des propriétés thermiques supérieures et une diode intrinsèque rapide pour assurer un fonctionnement fluide et efficace dans des conditions difficiles. Les MOSFET  SiC SICW0x sont disponibles en configurations à 3 et 4 broches (source Kelvin). Les applications standard incluent les entraînements de moteurs, les équipements de soudage, les alimentations, les systèmes d’énergie renouvelable, l’infrastructure de charge, les systèmes cloud et l’alimentation sans interruption (ASI).