IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée FGHL50T65MQDTx

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée FGHL50T65MQDTx d'onsemi sont des IGBT de 4ème génération à vitesse moyenne, co-emballés avec une diode à courant nominal complet. Ces IGBTs fonctionnent à une température de jonction maximale de 175 °C. Les caractéristiques comprennent une capacité de courant élevée, une commutation douce et optimisée, et une distribution étroite des paramètres. Les applications typiques comprennent les onduleurs solaires, les ASI, les ESS, les convertisseurs et les FPS.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Fiche technique
1.874En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDT Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Fiche technique
321En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDTL4 Tube