MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA

Les MOSFET de puissance SiC à canal N SCT40xKWA deROHM Semiconductor  sont des MOSFET de quatrième génération qui offrent une faible résistance à l'état passant et un temps de tenue aux courts-circuits amélioré. Ces MOSFET offrent 1 200 V VDS, une rapidité de commutation élevée, une ligne de fuite minimale de 4,7 mm et untemps de récupération rapide. Les MOSFET SCT40xKWA sont conformes à la directive RoHS et simples à piloter. Les applications typiques comprennent le chauffage par induction, les convertisseurs CC-CC, les convertisseurs solaires et les alimentations à découpage (SMPS).