MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement
Tension d'alimentation de fonctionnement
Courant d'alimentation de fonctionnement
Gain
Type
Style de montage
Package/Boîte
Technologie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
MACOM Amplificateur RF Transistor,GaN,100W,CW
Fiche technique
287En stock
Min. : 1
Mult. : 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM Amplificateur RF Amplifier,GaN,50W,CW
Fiche technique
84En stock
Min. : 1
Mult. : 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM Amplificateur RF Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 28 Semaines
Min. : 250
Mult. : 250
Bobine: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel