TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Vgs - Tension grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Fiche technique
100En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo FET GaN .03-3GHz,5W,32V,50Ohm GaN RF I/P-Mtch T
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W