FET SiC UJ3C

Les FET SiC UJ3C de Qorvo sont des FET au carbure de silicium (SiC) basés sur une configuration cascode unique et optimisés pour les conceptions à commutation douce. Les FET SiC UJ3C sont idéaux pour la mise à niveau d'un dispositif existant à base de silicium ou le démarrage d'une nouvelle conception à base de SiC. Ces composants intègrent un JFET SiC avec un MOSFET Si conçu sur mesure pour produire la combinaison idéale d'un fonctionnement normalement désactivé, d'une diode de corps à hautes performances et d'un pilote de grille facile du MOSFET avec le rendement, la vitesse et la haute température nominale du JFET SiC. De ce fait, les systèmes existants peuvent profiter d'une augmentation des performances avec des pertes de conduction et de commutation plus faibles, de propriétés thermiques améliorées et d'une protection DES de grille intégrée. 

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
Fiche technique
598En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
Fiche technique
769En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Fiche technique
435En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Fiche technique
1.104En stock
1.00010/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
Fiche technique
1.330En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Fiche technique
1.805En stock
2.00021/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
Fiche technique
392En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
Fiche technique
670En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
Fiche technique
590En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
Fiche technique
156En stock
60018/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Fiche technique
9En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET