Mosfet de puissance à canal N R6049YN

Les MOSFET de puissance à canal N R6049YN de ROHM Semiconductor offrent une commutation à haute vitesse et de faibles résistances à l’état passant pour les applications de commutation. Fonctionnant sur une plage de température de -55 °C à +150 °C, ces composants à mode d’amélioration monocanal disposent d’une tension de claquage drain-source de 600 V, d’un courant de drain continu de ±22 A ou ±49 A et d’une charge de grille totale de 65 nC. Les MOSFET de puissance à canal N R6049YN de ROHM sont disponibles en boîtiers TO-220AB-3, TO-220FM-3 et TO-247G-3.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 49A, TO-220AB, Power MOSFET: R6049YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
1.253En stock
1.00029/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 22A, TO-220FM, Power MOSFET: R6049YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
1.964En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 49A, TO-247G, Power MOSFET: R6049YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube