HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

Les HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA de Nexperia sont des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels de 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia FET GaN GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Fiche technique
2.424En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT WLCSP-12 P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 12 mOhms 6 V 2.4 V 7.2 nC - 40 C + 125 C 11 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Fiche technique
2.132En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT VQFN-16 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 6 V 2.4 V 60 nC - 40 C + 125 C 105 W Enhancement