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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 30 A 3-level IGBT module
Fiche technique
14En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.5 V 30 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 950 V, 400 A 3-level IGBT module
Fiche technique
1En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray