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BGA855N6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA855N6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA855N6E6327XTS
Price: 0.54 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-BGA855N6E6327XTS

N° de fab. :

BGA855N6E6327XTSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Amplificateur RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Fiche technique:

BGA855N6E6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 12000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,542 €	0,54 €
	0,381 €	3,81 €
	0,342 €	8,55 €
	0,298 €	29,80 €
	0,278 €	69,50 €
	0,266 €	133,00 €
	0,244 €	244,00 €
	0,238 €	952,00 €
	0,231 €	1.848,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 12000)
	0,231 €	2.772,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	1.164 GHz to 1.3 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	1.1 V to 3.3 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	4.4 mA
Gain:	17.6 dB
NF : facteur de bruit:	0.6 dB
Type:	Low Noise Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSNP-6
Technologie:	SiGe
P1dB - Point de compression:	- 14 dBm
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre:	1 dBm
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	BGA855N6
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée:	11 dB
dB d'isolation:	22 dB
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	60 mW
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	12000
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test:	1.214 GHz
Raccourcis pour l'article N°:	BGA 855N6 E6327 SP002337750
Poids de l''unité:	0,830 mg

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Fiche technique

BGA855N6E6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Models

BGA855N6E6327XTSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

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TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

CI amplificateurs à faible bruit (LNA)

Les CI amplificateurs à faible bruit (LNA) d'Infineon Technologies stimulent les débits de données et la qualité de réception des applications sans fil en utilisant un signal à très faible puissance sans perte significative du rapport signal-bruit. La sensibilité améliorée du récepteur améliore l'expérience utilisateur et satisfait les exigences du marché. Ces composants en petit boîtier hautement intégrés sont fournis avec une protection DES et une faible consommation d'énergie, ce qui est idéal pour les dispositifs mobiles alimentés par batterie. Les utilisateurs de dispositifs portables 4G/5G, GPS, télévision mobile, Wi-Fi et FM bénéficieront d'une réception à haut débit de données, d'une navigation rapide/précise et d'une diffusion fluide et de haute qualité, même dans les pires conditions de réception.

Amplificateur RF à faible bruit BGA855N6

L'amplificateur RF à faible bruit BGA855N6 Infineon Technologies améliore la sensibilité de signal GNSS pour les applications en bande L sur la une plage de fréquence de 1 164 MHz à 1 300 MHz. Cet amplificateur couvre les bandes L2/L5 GPS, Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2, BeiDou B3 et B2. L'amplificateur BGA855N6 est caractérisé par un gain de puissance d'insertion de 17,8 dB, une faible consommation de courant, des performances à haute linéarité, une sortie RF adaptée en interne, ainsi qu'une haute précision. Les performances à haute linéarité du BGA855N6 garantissent la meilleure sensibilité possible en fonctionnement dans les configurations NSA 4G et 5G. Cet amplificateur est basé sur la technologie B9HF au silicium-germanium d'Infineon Technologies et fonctionne à partir d'une tension d'alimentation de 1,1 V à 3,3 V.