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TK110Z65Z,S1F

Name: Toshiba TK110Z65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110Z65ZS1F
Price: 5.81 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-TK110Z65ZS1F

N° de fab. :

TK110Z65Z,S1F

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

Fiche technique:

TK110Z65Z,S1F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	45 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

TK110Z65Z,S1F Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET série DTMOSIV à canal N en silicium TK110Z65Z

Le MOSFET série DTMOSIV à canal N en silicium TK110Z65Z de Toshiba dispose d'une faible résistance drain-source de 0,092 Ω (standard), de propriétés de commutation rapide et d'une faible capacité. Le TK110Z65Z dispose également d'un mode d'amélioration qui le rend idéal pour les applications d'alimentation de commutation.

DTMOSIV Series MOSFETs

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