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GP2T020A120H

Name: SemiQ GP2T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T020A120H
Price: 17.22 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

148-GP2T020A120H

N° de fab. :

GP2T020A120H

Fab. :

SemiQ

Description :

SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET

Fiche technique:

GP2T020A120H Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	17,22 €	17,22 €
	14,16 €	141,60 €
	12,25 €	1.470,00 €
1.020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	119 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	216 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	564 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Temps de descente:	19 ns
Transconductance directe - min.:	26 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	5 ns
Série:	GP2T020A120
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	38 ns
Délai d'activation standard:	17 ns

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Fiche technique

GP2T020A120H Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET can be combined with silicon carbide Schottky diodes to achieve optimal performance without the trade-offs made with Silicon devices. This MOSFET offers reduced switching losses, higher efficiency, reduced heat sink size, and increased power density. The GP2T020A120H MOSFET features high-speed switching, longer creepage distance, 564W power dissipation, and 800mJ single pulse avalanche energy. This MOSFET is ideal for designers working on EV charging, industrial controls, and HVAC systems. Typical applications include power factor correction, DC-DC converter primary switching, and synchronous rectification.