Transistors LDMOS de puissance RF RFxL

Les transistors LDMOS de puissance RF RFxL de STMicroelectronics offrent des performances élevées conçues pour de nombreuses applications avec différentes bandes de fréquence. Les transistors de puissance RF RFxL sont disponibles en boîtiers B4E, B2 et LBB.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Id - Courant continu de fuite
Vds - Tension de rupture drain-source
Rds On - Résistance drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
110En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
20En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Fiche technique
Non stocké
Min. : 100
Mult. : 100
Bobine: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Fiche technique
Non stocké
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel