Diodes à barrière de Schottky SiC TRSx65H

Les diodes à barrière de Schottky (SBD) au carbure de silicium (SIC) TRSx65H de Toshiba sont des composants 650 V basés sur une technologie de troisième génération utilisant du métal Schottky. Ces composants optimisent la structure Schottky (JBS) de jonction des produits de deuxième génération, réduisant le champ électrique à l’interface Schottky et réduisant le courant de fuite, offrant un rendement amélioré. Le TRSx65H atteint une tension directe inférieure de 17 % (1,2 V standard) et améliore les compromis entre la tension directe et la charge capacitive totale (17 nC standard) par rapport aux composants 2e Gén. Avec une tension directe et un rapport de courant inverse améliorés, une résistance d’isolation standard de 1,1 µA. Les autres caractéristiques comprennent un courant CC direct jusqu’à 12 A et des courants de surtension non répétitifs à onde carrée jusqu’à 640 A.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Conditionnement
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Fiche technique
1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
Fiche technique
1.933En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
Fiche technique
3.858En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
Fiche technique
6.976En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
Fiche technique
4.849En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Fiche technique
108En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Fiche technique
224En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Fiche technique
150En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
Fiche technique
2.245En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
Fiche technique
31En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Fiche technique
15010/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Fiche technique
17205/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube