GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
SemiQ SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
Fiche technique
13En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
Fiche technique
2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement