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CMPA2735030S

Name: MACOM CMPA2735030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA2735030S
Price: 281.31 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

941-CMPA2735030S

N° de fab. :

CMPA2735030S

Fab. :

MACOM

Description :

Amplificateur RF MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH

Fiche technique:

CMPA2735030S Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	2.7 GHz to 3.5 GHz
Gain:	28.1 dB
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-32
Technologie:	GaN
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	MACOM
Sensibles à l’humidité:	Yes
Pd - Dissipation d’énergie :	32 W
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Amplificateur de puissance MMIC GaN 30 W CMPA2735030S

L'amplificateur de puissance MMIC GaN de 2,7 GHz à 3,5 GHz 30 W CMPA2735030S de Wolfspeed est un circuit intégré monolithique micro-ondes (MMIC) basé sur un transistor à électrons à haute mobilité (HEMT). L'amplificateur au nitrure de gallium (GaN) offre d'excellents avantages par rapport au silicium ou à l'arséniure de gallium, notamment une tension de rupture plus élevée, une vitesse de dérive des électrons saturés plus élevée ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée. En outre, les HEMT GaN disposent d'une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium.