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CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 56.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

94-CLP24H4S30PXY

N° de fab. :

CLP24H4S30PXY

Fab. :

Ampleon

Description :

FET GaN CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Cycle de vie:

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Fiche technique:

CLP24H4S30PXY Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Ampleon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	774 uA
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 2.2 V
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Marque:	Ampleon
Gain:	18.4 dB
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	30 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Type:	RF Power MOSFET

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Fiche technique

CLP24H4S30PXY Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.