MOSFET à canal P 1 200 V MaxSiC™ MXP120A

Les MOSFET à canal P 1 200 V MaxSiC™ MXP120A de Vishay Semiconductors se caractérisent par une tension drain-source de 1 200 V, un retard de commutation rapide et un temps de résistance de court-circuit de 3 μs. Ces MOSFET se caractérisent également par une puissance dissipable admissible (Tc = 25 °C) de 56 W à 268 W et un courant de drain continu (Tc = 25 °C) de 10,5 A à 52 A. Les MOSFET à canal N de 1 200 V MaxSiC™ MXP120A sont exempts d'halogènes et sont disponibles dans des boîtiers TO-247 3L, TO-247 4L et TO-263 7L. Ces MOSFET sont utilisés dans les chargeurs, les entraînements à moteur auxiliaires et les convertisseurs CC-CC.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
80012/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60019/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60012/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
79914/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
59914/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
79914/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
59914/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET SiC FET, Industrial, 1200V, 160m, TO-247-4L
Fiche technique
60018/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 1200 V 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET SiC FET,Industrial, 1200V, 250m, D2PAK
Fiche technique
80018/12/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1200 V 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET SiC FET, Industrial, 1200V, 40m, TO-247-3L
Fiche technique
60018/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1200 V 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
80016/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60016/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET SiC FET, Auto-Grade, 1200V, 63m, D2PAK
Fiche technique
80018/12/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1200 V 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60014/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET SiC FET, Auto-Grade, 1200V, 80m, D2PAK
Fiche technique
80018/12/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1200 V 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
60014/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET SiC FET, Auto-Grade, 1200V, 40m, TO-247-3L
Fiche technique
60018/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1200 V 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement