Diodes à barrière SCHOTTKY de classe automobile YQx0

Les diodes à barrière SCHOTTKY de classe automobile YQx0 de ROHM Semiconductor fournissent de faibles tensions directes, des courants inverses et des capacités avec une haute fiabilité. Les diodes à barrière SCHOTTKY YQx0 homologuées AEC-Q101 disposent d’une structure MOS à tranchée avec une température de jonction de +150 °C. Les applications comprennent l’automobile, les alimentations à commutation, les diodes de roue libre et la protection contre les inversions de polarité.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Style de montage
Package/Boîte
Configuration
Technologie
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
Fiche technique
2.500En stock
5.00028/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 150 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
Fiche technique
6.783En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 610 mV 200 A 80 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
Fiche technique
1.900En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 650 mV 150 A 70 uA + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
Fiche technique
2.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 200 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodes et redresseurs Schottky Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ30NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
Fiche technique
1.244En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 30 A 100 V 780 mV 200 A 150 uA + 150 C Reel, Cut Tape