IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 650 V HB

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série HB 650 V STMicroelectronics sont des IGBT développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (Vce(sat)) jusqu'à 1,6 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
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Polarité du transistor
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Fiche technique
531En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Fiche technique
2.329En stock
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Fiche technique
564En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
597En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
Fiche technique
461En stock
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IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Fiche technique
1.402En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Fiche technique
4.575En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Fiche technique
802En stock
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IGBT Transistors Si SMD/SMT

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
Fiche technique
722En stock
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
90En stock
60024/08/2026 attendu
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Fiche technique
1.10617/02/2026 attendu
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Fiche technique
406En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Fiche technique
496En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Fiche technique
1En stock
60001/04/2026 attendu
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
470En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Fiche technique
848En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Fiche technique
311En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Fiche technique
74En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Fiche technique
290En stock
Min. : 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Fiche technique
42En stock
Min. : 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Fiche technique
219En stock
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Fiche technique
60010/02/2026 attendu
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3