MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V d'Infineon Technologies  établissent des performances de référence dans le secteur grâce à une large offre de portefeuille, notamment un boîtier PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, SuperSO8, un boîtier PQFN 5 mm x 6 mm refroidissement bilatéral et un boîtier PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm Source-Down. La famille 80 V est idéale pour les applications à haute fréquence de commutation telles que les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire. Les améliorations de performance d'OptiMOS™ 6 80 V démontrent également des avantages dans les systèmes de gestion de batterie (BMS).