JFET RF et FET LDMOS 5G

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) RF et les FET à semiconducteur à oxyde métallique à diffusion latérale (LDMOS) 5G de MACOM sont des transistors haute puissance thermiquement améliorés pour la prochaine génération de transmission sans fil. Ces dispositifs possèdent un GaN sur une Technologie de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) SiC, une correspondance à l'entrée, une haute efficacité et un boîtier à montage en surface thermique amélioré avec une bride sans oreille. Les JFET MACOM 5 G RF et les FET LDMOS sont idéaux pour les applications d'amplificateur de puissance cellulaires multi-standard.