Amplificateurs de pilote GaN QPA0001

Les amplificateurs de pilote GaN QPA0001   Qorvo sont basés sur un QGaN15 de 0,15 µm sur le procédé SiC dans un boîtier QFN de 4 mm x 3 mm x 0,65 mm encapsulé par moulage. Ces amplificateurs présentent une plage de fréquences de fonctionnement de 8,5 GHz à 10,5 GHz, une puissance de sortie saturée de 2 W, un rendement de 50 % de la puissance ajoutée et un gain de signal important de 27 dB. Les amplificateurs QPA0001 se caractérisent également par une puissance de sortie de 33 dBm, une plage de température de fonctionnement de -40 °C à +85 °C, une tension de drain de 16 V et un courant de drain de 55 mA. Ces amplificateurs sont idéaux pour les radars commerciaux, militaires et les télécommunications.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement Tension d'alimentation de fonctionnement Courant d'alimentation de fonctionnement Gain Type Style de montage Technologie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
Qorvo Amplificateur RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN 54En stock
Min. : 1
Mult. : 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 16 V 55 mA 33 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA0001 Reel
Qorvo Amplificateur RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 250
Mult. : 250
Bobine: 250

QPA0001 Reel