Transistor GaN de puissance RF Airfast A5G35S008N
Le transistor GaN de puissance RF Airfast A5G35S008N de NXP Semiconductors est un transistor GaN de puissance RF de 27 dBm. Il est conçu pour les applications de station de base cellulaire couvrant la plage de fréquence de 3 300 à 3 800 MHz. Le composant a des impédances de borne élevées pour des performances de bande large optimales
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