GaN FET 650 V LMG3522R050

Le FET GaN 650 V LMG3522R050 de Texas Instrument avec pilote et protection intégrés cible les convertisseurs de puissance à découpage et permet aux concepteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de densité de puissance et d'efficacité. Le LMG3522R050 intègre un pilote en silicium qui permet des vitesses de commutation allant jusqu'à 150 Vns. TI propose une polarisation de grille de précision intégrée, ce qui se traduit par une SOA de commutation plus élevée par rapport aux pilotes de grille discrets en silicium. Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI, offre une sonnerie minimale et une commutation propre dans les topologies d'alimentation à commutation dure. La force d'entraînement de grille réglable permet de contrôler la vitesse de balayage de 15 V/ns à 150 V/ns. Ce contrôle peut être utilisé pour contrôler activement les EMI et optimiser les performances de commutation.