Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTPF110N65S3HF

Name: onsemi NTPF110N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTPF110N65S3HF
Price: 4.76 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTPF110N65S3HF

N° de fab. :

NTPF110N65S3HF

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TF220

Fiche technique:

NTPF110N65S3HF Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTPF110N65S3HF

En stock: 25

Stock:: 25 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 17 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,76 €	4,76 €
	3,02 €	30,20 €
	2,88 €	288,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	62 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	240 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperFET III
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	18 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	SuperFET3
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTPF110N65S3HF Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

NTPF110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NTPF110N65S3HF 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET is a high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NTPF110N65S3HF SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NTPF110N65S3HF also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components and improved system reliability.