ART LDMOS RF Power Transistors

Ampleon Advanced Rugged Technology (ART) LDMOS RF Power Transistors are designed to cover a wide range of applications for ISM, broadcast, and communications. These power transistors feature dual-sided ESD protection, enabling class C operation and complete switch-off. The ART LDMOS RF power transistors offer high efficiency, excellent thermal stability, and excellent ruggedness with no device degradation. These power transistors feature nominal output powers of 35W and 2500W. The ART LDMOS RF power transistors are ideal for industrial, scientific, medical, broadcast, and radar applications.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor Technologie Vds - Tension de rupture drain-source Rds On - Résistance drain-source Fréquence de fonctionnement Gain Alimentation en sortie Température de fonctionnement max. Style de montage Package/Boîte Conditionnement


Ampleon Transistors MOSFET RF ART35FE/SOT467C/TRAY 237En stock
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N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon Transistors MOSFET RF ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
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Mult. : 100
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Dual N-Channel LDMOS 75 V 106 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28..5 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 Reel