HEMT au GaN

Les HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) au GaN (nitrure de gallium) Cree offrent une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium. Le GaN offre des propriétés supérieures à celles du silicium ou de l'arséniure de gallium, incluant une tension de claquage plus élevée, une plus grande vitesse de saturation des électrons ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
30En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
70En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Fiche technique
74816/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM FET GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Fiche technique
Non stocké
Min. : 50
Mult. : 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C