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CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 550.78 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

941-CGH09120F

N° de fab. :

CGH09120F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Fiche technique:

CGH09120F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	28 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	56 W
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Gain:	21 dB
Tension drain-porte max.:	28 V
Fréquence de fonctionnement max.:	2.5 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	300 MHz
Alimentation en sortie:	20 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	20
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V

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Fiche technique

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PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.