NVTFWS002N04XMTAG

onsemi
863-VTFWS002N04XMTAG
NVTFWS002N04XMTAG

Fab. :

Description :
MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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0,552 € 5,52 €
0,455 € 45,50 €
0,436 € 218,00 €
0,421 € 421,00 €
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0,408 € 1.224,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
114 A
2.45 mOhms
20 V
3.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 12 ns
Transconductance directe - min.: 59 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 10 ns
Série: NVTFWS002N04XM
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 10 ns
Délai d'activation standard: 6 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NVTFWS002N04XM

Le MOSFET NVTFWS002N04XM d'onsemi présente une faible résistance RDS(on) et une faible capacité dans un boîtier conforme à la norme AEC-Q101. Le MOSFET a une tension drain-source de 40 V, un courant de drain continu de 114 A et une résistance drain-source de 2,45 m à 10 V. Le MOSFET NVTFWS002N04XM d'onsemi est disponible dans un boîtier à petite emprunte µ8FL de 3,3 mm x 3,3 mm et est idéal pour les applications d'entraînement moteur, de protection de batterie et de redressement synchrone.